华羿微代理商 HYG045P03LQ2P P沟道增强型MOSFET

特征： -30V/-131A RDS(ON)= 4.1 mΩ(typ.)@VGS = -10V RDS(ON)= 6.4 mΩ(typ.)@VGS = -4.5V 100%雪崩测试 100% DVDS 可靠且坚固的 无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准） 应用： 切换应用程序 电池保护 DC-DC 详情请咨询我司业务15986786916 华羿微P沟道typ应用程序雪崩发布于：广东省...